Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya/Azərbaycanda dərc olunan jurnal məqalələri

Vikikitab, açıq dünya üçün açıq kitablar
Jump to navigation Jump to search
../ Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya

../

1. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И. "Исследование электрических свойств, легированных цинком сплавов германий–кремний" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1969, №3

2. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Таиров С.И., Шахтахтинский М.Г. "Исследование энергетических уровней цинка в твёрдых растворах германия с кремнием"// Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1969, №6

3. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Алиева Б.С., Алекперов А.И., Таиров С.И., Шахтахтинский М.Г. "Исследование примесных уровней и донорно-акцепторного взаимодействия в сплавах Ge-Si" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1969, №6

4. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Алиева Б.С., Таиров С.И., Шахтахтинский М.Г. "Термические акцепторы в сплавах германия с кремнием" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1970, №5

5. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Таиров С.И, Шахтахтинский М.Г. "Исследование энергетических состояний примеси кадмия в сплавах германия с кремнием" // Изв.АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1970, №6

6. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И. "Исследование примесных состояний железа в твёрдых растворах германий-кремний" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1974, №4

7. Аждаров Г.Х., Шахтахтинский М.Г. "Фактор вырождения и энергия активации акцепторных уровней примесных элементов II Б под-группы в твёрдых растворах германий-кремний" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1974, №4

8. Аждаров Г.Х., Алиева Б.С., Тагиров В.И., Шахтахтинский М.Г. "Некоторые вопросы теоретической и экспериментальной физики"//Баку, Изд. Элм 1977

9. Аждаров Г.Х., Шахтахтинский М.Г "Продольное магнитосопротивление антимонида и арсенида индия в ультраквантовом пределе" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1979, №1

10. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергия активации верхнего донорного уровня селена в монокристаллах твёрдых растворов германий кремний" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 1980, №1

11. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергетический спектр основных состояний мелких акцепторных центров и эффективные массы дырок в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний" // Доклады АН Азерб. ССР, 1981, т.17, №8

12. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергия активации сурьмы в кристаллах твёрдых растворов германия с кремнием" // Доклады АН Азерб. ССР, 1982, т.38, №2

13. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергетический спектр верхнего донорного уровня серы в монокристаллах твёрдых растворов германия с кремнием" / Сборник «Сложные полупроводники», Изд. Элм, 1983

14. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Акперов М.А. "Энергия ионизации и фактор вырождения нижнего акцепторного уровня никеля в твёрдых растворах германий-кремний" // Доклады АН Азерб. ССР, 1987, №7

15. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Мир – Багиров В.В. "Холл-фактор электронов в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний" / Препринт №260 Институт физики АН Азерб. 1988

16. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Мир –Багиров В.В. "Холл-фактор электронов в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний при доминировании рассеяния на колебаниях решётки и беспорядках сплава" // Доклады АН Азерб. ССР, 1989, №2

17. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А. "Подвижность дырок в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний при рассеянии на колебаниях решётки" // Доклады АН Азерб. ССР, 1989, №3

18. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Гусейнова Э.С. "Подвижность электронов и дырок в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава" / Препринт №314 Институт физики АН Азерб. 1989

19. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Гусейнова Э.С. "Сплавное рассеяние электронов в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний" // Доклады АН Азерб. ССР, 1990, №12

20. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Выращивание равномерно легированных полупроводниковых материалов" // Доклады АН Азерб. ССР, 1991, №3

21. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Легирование твёрдых растворов германий-кремний медью и определение энергии связи первого акцепторного уровня этой примеси в кристаллах" / Препринт №401, Институт физики АН Азерб. 1991, 20 ст.

22. Аждаров Г.Х., Гусейнова Э.С., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н. "Энергия активации первого акцепторного состояния примеси цинка в твёрдых растворах Ge-Si" / Препринт №437, Институт физики АН Азерб. 1992, 9 ст.

23. Аждаров Г.Х., Заманова Э.Н., Багирова С.М., Агаев Н.А., Мамедов К.Н. "Механизмы токопрохождения через барьерные структуры на основе твёрдых растворов Ge-Si" / Препринт №461, Институт физики АН Азерб. 1992, 12ст.

24. Аждаров Г.Х., Мамедов К.Н., Кязимзаде Р.З. "Второе акцепторное состояние примеси цинка в кристаллах Ge-Si" / Препринт №486, Институт физики АН Азерб. 1994, 8 ст.

25. Аждаров Г.Х., Мамедов К.Н., Багирова С.М., Агаев Н.А., Акперов М.А. "Первое акцепторное состояние замещающих атомов примеси кадмия в кристаллах Ge-Si" / Препринт №488, Институт физики АН Азерб. 1994, 9ст.

26. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н., Агаев Н.А, Багирова С.М. "Энергия связи первого акцепторного состояния примеси ртути в кристаллах Ge1-xSix" / Препринт №493, Институт физики АН Азерб. 1994, 10 ст.

27. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н., Акперов М.А. "Получение легированных ртутью твёрдых растворов Ge-Si и определение энергии связи верхнего акцепторного состояния этой примеси в кристаллах" / Препринт №494, Институт физики АН Азерб. 1994, 12 ст.

28. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н., Акперов М.А. "Акцепторные состояния примеси кадмия в Ge1-xSix" // Fizika, 1995, №4

29. Аждаров Г.Х., Багирова С. М., Гусейнова Э.С. "Фактор вырождения первого акцепторного состояния примеси меди в Ge-Si" // Азерб. НИИНТИ 1996, №14

30. Аждаров Г.Х., Акперов М.А., Гусейнова Э.С. "Фактор вырождения акцепторных уровней кадмия в Ge-Si" // Fizika, 1997, №1, т.3

31. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Кязимзаде Р.З. "Донорное состояние замещающих атомов примеси серы в кристаллах Ge-Si" // Fizika, 1998, №3, т.4

32. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Агаев Н.А., Акперов М.А. "Примесные состояния теллура в твёрдых растворах германий-кремний" // Fizika, 1999, №3

33. Аждаров Г.Х., Гусейнова Э.С., Акперов М.А. "Распределение компонентов в твёрдых растворах InSb-InAs при выращивании из расплава методом Чохральского"// Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2000, т.20, №5

34. Аждаров Г.Х., Гусейнова Э.С., Багирова С.М. "Равновесные концентрации расплава германий-кремний, непрерывно подпитываемого кремнием, при выращивании однородных кристаллов" // Fizika, 2001, №1

35. Azhdarov G.X., Varilchi A., Kuchukomeroglu T., Altunbash M., Kobya A.I. "Distribution of components in Si-Ge crystals grown by zone leveling method" // Fizika, 2001, №1

36. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Алекперов А.И., Мир-Багиров В.B. "Энергия активации замещающих примесных атомов серы и селена в кристаллах Ge-Si" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2002, т.22 №2

37. Azhdarov G.X., Акperov М.А, Mir-Bagirov V. V., Guseinova E.S. "Mathematical modeling of components distribution in InSb-InAs mixed crystals grown by zone melting method" // Fizika, 2002, №2

38. Аждаров Г.Х., Акперов М.А., Мир-Багиров В.В. "Равновесные соотношения скоростей кристаллизации расплава и подпитки его вторым компонентом при выращивании однородных монокристаллов системы InSb-InAs" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2002, т.22, №5

39. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Мамедов К.Н. "О выращивании однородных монокристаллов Ge-Si из расплава, подпитываемого германиевым и кремниевым стержнями" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2003, т.23, №2, ст. 35-38

40. Azhdarov G.X., Akperov M.A., Mir-Bagirov V.V. "Distribution of components in the crystal Si-Ge, which has been brought up by the double feeding method" // Fizika, 2003, v.9, №2, pp. 43-46

41. Аждаров Г.Х., Гусейнова Э.С., Алекперов А.И., Мир-Багиров В.В. "O выращивании объёмных монокристаллов твёрдых растворов InSb-InAs с равномерным распределением компонентов" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2003, т.23, №5 (1), с. 120-122

42. Azhdarov G.X.,Mamedov K.N., Mustafaeva K.M., Kazimova V.K. "Compositional variation in Ge-rich Ge-Si single crystals grown by Czochralski method using Ge-seed and continuous feeding of the melt with Ge and Si rods" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. наук, 2004, т.24, №5, с. 39-41

43. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Мир-Багиров В.В. "Моделирование композиционного профиля кристаллов InSb-InAs, выращенных методом двойной подпитки расплава" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. Наук, 2004, т.24, №5, c. 90-93

44. Аждаров Г.Х., Гусейнова Э.С. "Равновесные соотношения скоростей кристаллизации и подпитки расплава при росте полностью однородных кристаллов In1-xGaxSb" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. Наук, 2004, т.24, №5

45. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К. "О распределении примеси индия в кристаллах Ge-Si, выращенных модернизированным методом Бриджмена с использованием германиевой затравки" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. и тех. Наук, 2005, т. 25, № 5, с. 62-65

46. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Зейналов З.М. "Распределение примеси алюминия вдоль однородных кристаллов Ge-Si выращенных модернизированным методом Чохральского с использованием подпитывающего слитка кремния" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. и тех. Наук, 2005, т. 25, № 5, с. 119-122

47. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Зейналов З.М. "Распределение примеси индия в однородных кристаллах твёрдых растворов Ge-Si, выращенных методом Бриджмена в режиме непрерывной подпитки расплава кремнием" // Fizika, 2005,с.XI, № 3, c. 73-75

48. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М. "Продольное распределение примеси алюминия в кристаллах, выращенных на германиевой затравке методом Бриджмена с использованием подпитывающего слитка кремния" // Доклады Академии Наук Азербайджана, 2005, № 1, c. 65-72

49. Azhdarov G.X., Gubatova L.A., Zeynalov Z.M. "Axial Ga – impurity distribution in Ge-Si, solid solutions, crown by the modernized Bridgmen method" // Fizika 2005, XI, № 1-2, pp. 28-30

50. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Алекперов А.И. "Выращивание смешанных монокристаллов GeSi методом Бриджмена с использованием кремниевой затравки" //Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. и тех. Наук, 2006, в. XXVI, №2, c. 51-54

51. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Акперов М.А. "Математическое моделирование распределения примеси сурьмы в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Чохральского" // Изв. АН Азерб., серия физ.-мат. и тех. Наук, 2006, в. XXVI, №2, c. 29-32

52. Аждаров Г.Х., Багирова С.М. "Условия роста однородных монокристаллов твердых растворов GaSb-AlSb из расплава, подпитываемого вторым компонентом" // Доклады Академии Наук Азербайджана, 2006, т. LXII, № 3-4, с.76-81

53. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Багирова С.М., Зейналов З.М. "Подвижность электронов в сложнолегированных кристаллах Ge-Si<Cu,Al,Sb>" //Fizika, 2007, т. 13, № 4, с. 12-15

54. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Зейналов З.М. "Влияние термической обработки на электрические свойства сложнолегированных дырочных кристаллов Ge-Si<Cu,Al,Sb>" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2007, с. 27, № 5, s. 55-60

55. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Алекперов А.И. "Концентрационный профиль примеси бора в кристаллах Ge-Si переменного состава, выращенных методом Бриджмена" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2007, с. ХХVII, №2, s. 38-42

56. Аждаров Г.Х., Акперов М.А., Алекперов А.И., Мир- Багиров В.В. "Условия роста однородных монокристаллов InSb-GaSb из расплава, подпитываемого вторым компонентом (GaSb)" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2008, № 5

57. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Зейналов З.М., Мамедова С.О. "Подвижность электронов в твёрдых растворах Ge-Si, сложнолегированных примесями Cu,In и Sb" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2008, с. ХХVIII, № 5

58. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Зейналов З.М. "Глубокий донорный комплекс в сложнолегированных кристаллах Ge-Si<Cu,In,Sb>" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2008, с. ХХVIII, № 5

59. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Кязимова В.К., Мамедова С.О. "Электрические свойства сложнолегированных кристаллов Ge-Si<Cu,In,Sb>, подвергнутых термической обработке" // Fizika, 2008, №3, с.31-33

60. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Багирова С.М., Мамедова С.О. "О выращивании однородных монокристаллов твёрдых растворов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена" // Fizika, 2008, №3, s. 28

61. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Мамедова С.О. "Математическое моделирование распределения примеси Al в монокристаллах Ge-Si, выращенных методом двойной подпитки расплава" // Fizika, 2009, т. XV, № 2, s. 102-106

62. Аждаров Г.Х., Акперов М.А., Алекперов А.И., Захрабекова З.М., Мир-Багиров В.В. "Распределение компонентов в монокристаллах твердых растворов GaSb-InSb, выращенных методом Бриджмена" // Fizika, 2009, c. XV, № 2, s. 89-91

63. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Агамалиев З.А., Мир-Багиров В.В. "Моделирование распределения компонентов в твёрдых растворах InSb-GaSb, выращенных методом зонной плавки" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2009,c. XXIX, № 5, s. 121-124

64. Аждаров Г.Х., Акперов М.А., Алекперов А.И., Агамалиев З.А. "Влияние длины зоны расплава на распределение компонентов при зонной перекристаллизации твёрдых растворов InSb-GaSb" // Fizika, 2009, c.XV, № 3, s. 28-30

65. Аждаров Г.Х., Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Агамалиев З.А. "Распределение примеси Ga в однородных монокристаллах Ge-Si, выращенных методом Чохральского из подпитываемого расплава" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2009, c. XII, №3, s. 153-156

66. Azhdarov G.X., Zeіnalov Z.M., Aghamaliyev Z.A., Zakhrabekova Z.M., Bagirova S.M. "Copper - related deep acceptor in quenched Ge-Si <Cu,Al> crystals" // Fizika, 2010, c. XVI, №2, s. 75-79

67. Аждаров Г.Х., Гусейнли Л.А. , Зейналов З.М., Зохраббекова З.М. "Глубокий акцепторный комплекс,связанный с примесью меди в термообработанных кристаллах Ge1-x Six ( Cu, Ga)" // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2010, т. 30, №5, с. 100-105

68. Аждаров Г.Х., Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Кязимова В.К. "Подвижность электронов в германиеподобных кристаллах Ge-Si<Cu,Ga,Sb>" // Xəbərlər, fizika-riyyə z. seriyası, 2011,c.31, № 2, s.12-16

69. Azhdarov G.X., Bagirova S.M., Zakhrabekova Z.M., Kazimova V. K. "The influence of molten zone length on component axial distribution in InAs-GaAs ingots at floating-zone refining" // Fizika, 2012, v.18, № 2, p.36

70. Аждаров Г.Х., Исламзаде Э.М., Агамалиев З.А., Захрабекова З.М. "Электроактивный комплекс в сложнолегированном кристалле Ge<Ga,Sb,Ni>" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2013,c.33, № 5, s. 64-69

71. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Алекперов А.И., Акперов М.А. "Моделирование распределения компонентов в монокристаллах твёрдых растворов InSb-AlSb, выращенных методами Чохральского и Бриджмена" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2014, XXXIV, № 2, с. 59-62

72. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., БагироваС.М.,Мир-Багиров В.В., Гусейнли Л.А. "Концентрационный профиль компонентов в кристаллах InAs-GaAs, выращенных методом подпитки расплава вторым компонентом с использованием InAs затравки" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2014, XXXIV, № 2, c. 38-42

73. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Мир-Багиров В.В., Гусейнли Л.А. "Условия роста полностью однородных монокристаллов твёрдых растворов InSb-AlSb методом двойной подпитки расплава" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2014, c XXXIV, № 5

74. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Захрабекова З.М. "Условия роста однородных монокристаллов InAs-AlAs из расплава, подпитываемого вторым компонентом" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2014, c XXXIV, № 5

75. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Мир-Багиров В.В. "Моделирование распределения примеси бора в кристаллах Ge-Si, выращенных методом подпитки расплава вторым компонентом" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2015, c XXXV, № 2, c. 48-52

76. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Рамазанов М.А. "Моделирование концентрационных профилей компонентов в монокристаллах твердых растворов Ge-Si, выращенных модификационным методом зонной плавки" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2016, c. XXXVI, № 5

77. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Кязимова В.К., Мир-Багиров В.В. "Моделирование влияния длины зоны расплава на концентрационный профиль компонентов в твердых растворах InSb-AlSb при зонной перекристаллизации" // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2016, c. XXXVI, № 5

78. Azhdarov G.X., Ramazanov M.A., Agamaliyev Z.A. "Modeling the influence of the melting zone length on component concentration distribution in Ge-Si crystal grown by modified melting zone method" // Fizika, 2016, v. XXII, №3, p. 23-25