Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya/Xaricdə dərc olunan jurnal məqalələri

Keçid əlavə et
Vikikitab, açıq dünya üçün açıq kitablar
←../ Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya

../→

1. Аждаров Г.Х.,Тагиров В.И., Таиров С.И. "Исследование примесных состояний ртути в сплавах германий-кремний"// Физика и техника полупроводников, 1970, т.4, №4 IF: 0.607

2. Аждаров Г.Х.,Тагиров В.И. "Исследование энергетических уровней никеля в сплавах германий–кремний"// Физика и техника полупроводников, 1971, №6 IF: 0.607

3. Аждаров Г.Х., Шахтахтинский М.Г. "Фактор вырождения энергетических уровней цинка в кристаллах германий-кремний"// Деп. по представлению ред. журнала ФТП, ВНИИ «Электроника» 1974, №27799\74

4. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И. "Выращивание однородных монокристаллов полупроводниковых твёрдых растворов"//Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1975, №6, т.11 IF: 0.293

5. Аждаров Г.Х., Шахтахтинский М.Г. "Фактор вырождения акцепторных уровней цинка в твёрдых растворах германий-кремний" Физика и техника полупроводников, 1975, №4 IF: 0.607

6. Аждаров Г.Х., "Отчёт о командировке в Англию" // Москва, АН СССР, ВИНИТИ, 1977

7. Azhdarov G.X., Mansfield R. "Negative magnetoresistance in Indium Arsenide in the extreme quantum limit" Phys. Stat. Sol. (B), 1978, №.87 IF:0.712

8. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергетический спектр донорных состояний теллура в монокристаллах твёрдых растворов германий - кремний"// Физика и техника полупроводников, 1979, №12, т.13 IF: 0.607

9. Аждаров Г.Х., Мусаев А.А., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Управление составом однородных монокристаллов бинарных твёрдых растворов в процессе выращивания из расплава" // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1980, №7, т. 16 IF: 0.293

10. Аждаров Г.Х., Старков Б.П., Адыгёзалов В.Ф, Гусейн-заде Ф.Р "Комплекс устройств для микроэлектродных исследований растительных клеток" Электронная обработка материалов, АН Молдавской ССР, Изд. Штинца, 1987, №1

11. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Мир –Багиров В.В. "О возможности получения однородных монокристаллов бинарных твёрдых растворов методом подпитки расплава вторым компонентом" Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1989, №7,т.25 IF: 0.293

12. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Получение однородно легированных монокристаллов кремния в процессе выращивания из расплава" // Электронная техника, сер. материалы, 1991 №7(261), с. 58-60.

13. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г. "Образование примесных скоплений в ОПЗ р-п переходов кремниевых ИС и их электрическая активность" // Электронная техника, сер. Полупроводниковые материалы, 1991, №7

14. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Кязимзаде Р.З. "Подвижность электронов в твёрдых растворах германий-кремний при рассеянии на фононах и беспорядках сплава" // Физика и техника полупроводников, 1991, т.26, №4 IF: 0.607

15. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Акцепторные уровни замещающих атомов примеси меди в кристаллах Ge-Si" // Физика и техника полупроводников, 1992, №3 IF: 0.607

16. Azhdarov G.X., Agaev N.A., Kyazimzade R.Z. "Electron mobility in Ge-like Ge-Si alloys" // Solid State Communications, 1992, №.4, v. 84 IF:0.776

17. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г. "Влияние примесных неоднородностей на электрические параметры р-п переходов в Ge-Si" Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1993, №4 IF: 0.293

18. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н. "Акцепторные состояния замещающих атомов примеси цинка в кристаллах Ge-Si" // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1995, №2, т.31 IF: 0.293

19. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н. "Акцепторные уровни в твёрдых растворах Ge-Si, легированных ртутью" // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1996, №4, т.32 IF: 0.293

20. Azhdarov G.X., Kyazimzade R.Z. "Acceptor levels of substitutional Zn, Cd and Hg impurity atoms in Ge-Si crystals" // Turkish Journal of Physics, 1996, №.3, т.20

21. Azhdarov G.X., Kyazimzade R.Z., Hostut M. "Deep impurity levels in Ge-Si alloys" // Solid State Communications, 1999, v.111 IF:0.776

22. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А. "Распределение компонентов в твёрдых растворах германий-кремний при выращивании из расплава" // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1999, т.35, №8 IF: 0.293

23. Azhdarov G.X., Varilchi A., Kuchukomeroglu T., Altunbash M., Kobya A.I. "Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component (Si)" // Journal of Crystal Growth, 2001, №.4 IF: 0.752

24. Azhdarov G.X., Varilci A., Kucukomeroglu T. "Distribution of components in Si-Ge Bulk Crystals Grown by the Zone Levelling Method" // Chinese Journal of Physics, 2003, v.41, n.1, pp. 79-84 IF:0.229

25. Аждаров Г.Х. "Выращивание кристаллов твердых растворов германий-кремний модернизированным методом Бриджмена" // Известия ВУЗ-ов России, Материалы электронной техники, №2, 2004, с. 69-71

26. Azhdarov G.X., Kyazimzade R.Z. "Growth of homogeneous single crystals of Ge-Si solid solutions from a Ge seed by the modified Brigmand method" // Crystallography Reports, vol. 50, № 1, 2005, S149-S151 IF:0.294

27. Azhdarov G.X., Kyazimova V.K., Zeynalov Z.M., Zakhrabekova Z.M. "Distribution of Aluminum and Indium Impurities in Crystals of Ge-Si Solid Solutions Grown from a Melt" // Crystallography Reports, 2006, vol. 51, № 1, S192-S195 IF:0.294

28. Azhdarov G.X., Zakhrabekova Z.M., Zeynalov Z.M., Kyazimova V.K. "Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge1-xSix Crystals" // Inorganic materials, 2007, 43, № 1, с. 1-5 IF: 0.293

29. Azhdarov G.X., Zeynalov Z.M., Huseynli L.A. "The Distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si crystals grown by the Bridgman method using a feeding rod" // Crystallography Reports, 2009, v. 54, № 1, pp. 150-153 IF:0.294

30. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Агамалиев З.А., Кязимова А.И. "Выращивание монокристаллов полупроводниковых растворов методом двойной подпитки расплава" // Кристаллография, 2010, v.55, №4, pp.740-743 IF:0.294

31. Azhdarov G.X., Zeynalov Z.M., Zakhrabekova Z.M. Kyazimova A.I. "Electroactive Complex in Thermally Treated Ge-Si<Cu,Al> Crystals" // Crystallogra- phy Reports, 2010, v.55(3), pp.462-465 IF:0.294

32. Azhdarov G.X., Zeynalov Z.M., Kyazimova V.K., Huseynli L.A. "Deep donor center in Ge1-x Six (Cu,In,Sb) at 1050-1080 К" //Inorganic Materials, 2010, v. 46, №12, pp. 1285-1289 IF: 0.293

33. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Агамалиев З.А., Мамедова С.О. "Динамика роста монокристаллов Ge1-x Six при выращивании методом направленного концентрационного переохлаждения расплава" // Кристаллография, 2011, т. 56, №3, с. 559–562 IF:0.294

34. Azhdarov G.X., Agamaliev Z. A., Islamzade E. M. "Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt" // Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 442–445 IF:0.294

35. Azhdarov G.X., Islamzade E. M Agamaliev Z. A., Zakhrabekova Z. M. "Deep Acceptor Complex in Thermally Processed Ge–Si〈Ga,Ni〉 Crystals" // Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 4, pp. 563–566 IF:0.294

36. Azhdarov G.X., Kazimova V. K., Alekperov A. I., Zakhrabekova Z. M. "Distribution of Al and In Impurities along Homogeneous Ge–Si Crystals Grown by the Czochralski Method Using Si Feeding Rod" // Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 415–417 IF:0.294

37. Azhdarov G.X., Agamaliev Z. A., Islamzade E. M. "Modeling the distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si single crystals grown by double feeding of the melt: growth conditions for homogeneous single crystals" //Crystallography Reports, 2016, Vol. 61, No. 2, pp. 327–330 IF:0.294

38. Azhdarov G.X., Agamaliev Z. A., Kazimova V. K., Zakhrabekova Z. M. "Modeling the concentration profiles aluminum and indium impurities in crystals of germanium-silicon solid solutions" // Inorganic Materials, 2016, Vol. 52 No. 3, pp. 244–247 IF: 0.293

Mənbə — "https://az.wikibooks.org/w/index.php?title=Hüsnü_Əjdərov/Biblioqrafiya/Xaricdə_dərc_olunan_jurnal_məqalələri&oldid=24587"